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MMUN2111LT1G中文资料

MMUN2111LT1G图片

MMUN2111LT1G外观图

  • 大小:152.3KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:3.2W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:60; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-250mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:5mA; Hfe Min:35; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Pin Configuration:1; Power Dissipation Pd:246mW; Power Dissipation Ptot Max:200mW; Resistance R1:10kohm; Resistance R2:10kohm; SMD Marking:A6A; Termination Type...
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):35 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA
  • 频率 - 转换:-
  • 功率 - 最大:246mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MMUN2111LT1GOSMMUN2111LT1GOS-NDMMUN2111LT1GOSTR

MMUN2111LT1G供应商

更新时间:2023-01-01 00:35:23
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • MMUN2111LT1G

    MMUN2111LT1G
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 3000

  • ON

  • SOT23/21+

  • 进口原装现货

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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